7 月 11 日，已提Hi Investment & Securities 研究員樸相佑在一份報(bào)告中表示：“三星電子近期成功地提高了 4nm 工藝的星電成品率”，并提高了“高通和英偉達(dá)再次合作的工藝高至可能性”。
此前，良率三星電子代工廠曾經(jīng)歷過產(chǎn)品上市延遲以及 10nm 以下工藝良率提升緩慢的已提情況，導(dǎo)致主要客戶紛紛轉(zhuǎn)向臺(tái)積電。星電昆明外圍（外圍女）外圍上門（微信199-7144-9724）全國(guó)1-2線熱門城市快速安排30分鐘到達(dá)結(jié)果，工藝高至去年臺(tái)積電的良率資本支出和產(chǎn)能分別是三星電子代工業(yè)務(wù)的 3.4 倍和 3.3 倍。
在 7nm 以下的已提先進(jìn)工藝方面，臺(tái)積電的星電市場(chǎng)占有率達(dá)到了 90%，這進(jìn)一步拉大了兩公司之間的工藝高至差距。
隨著三星電子今年 4nm 工藝成品率超過 75%、良率3nm 工藝成品率超過 60%，再加上臺(tái)積電漲價(jià)的影響，業(yè)界認(rèn)為三星有望再次奪回被臺(tái)積電搶走的客戶，而且之前高通和英偉達(dá)等多位客戶也曾表示他們有必要將其外包生產(chǎn)進(jìn)行多元化。
根據(jù)三星代工在 SFF 2023 上公布的最新工藝技術(shù)路線圖，該公司計(jì)劃在 2025 年推出 2 納米級(jí)的 SF2 工藝，2027 年推出 1.4 納米級(jí)的 SF1.4 工藝。與此同時(shí)，該公司還公布了 SF2 工藝的一些特性。
據(jù)了解，在擴(kuò)大技術(shù)供應(yīng)的同時(shí)，三星仍然致力于擴(kuò)大其在韓國(guó)平澤和美國(guó)得州泰勒市的產(chǎn)能。
三星計(jì)劃于 2023 年下半年在其平澤 P3 線開始量產(chǎn)芯片，而泰勒市新建廠房預(yù)計(jì)將于今年年底完工，并于 2024 年下半年開始運(yùn)營(yíng)。三星目前的計(jì)劃是到 2027 年將其潔凈室容量比 2021 年增加 7.3 倍。
作者:綜合
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